中国高校与科研机构在半导体领域取得重大突破。中国科学院微电子所等机构提出新型双栅4F²2T0C存储单元架构，通过金属自氧化工艺实现高密度集成。该技术具备优异导电性与热稳定性，支持4位存储，写入时间50纳秒，数据保持超300秒，展现出高性能高可靠性的巨大潜力。中国高校与科研机构在半导体领域持续突破：南理工研发基于神经网络的SiC开关损耗预测法，误差低至1.13%；多所机构联合开发4H/3C-SiC复合衬底，将电阻率降低至传统1/45；南方科大设计出高速光互连发射机与接收机，支持112 Gb/s传输，为下一代通信奠定基础。

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