东京电子宫城有限公司研发出极低温氟化氢等离子体蚀刻新工艺，蚀刻速率最高达传统工艺五倍。该工艺全球变暖潜能值更低，可大幅缩短加工时间、提升能效，尤其适用于全环绕栅极晶体管与三维闪存等复杂三维结构蚀刻。名古屋大学与该公司联合团队已解析其核心蚀刻机理，成果发表于《化学工程期刊》。