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化学气相沉积CVD |
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| PECVD薄膜制设备 |
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技术参数: 晶圆尺寸:6、8英寸 适用材料:硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、 适用工艺:氧化硅、氮化硅、非晶硅、PSG、BPSG 适用领域:硅基微显、科研院所、集成电路、化合物半导体、功率半导体、LED
设备特点: 设备主要配件全部选用国际主流知名品牌 先进的单腔架构,兼具产能和性能优势 高效远程等离子体清洗系统,良好的颗粒控制 多样化气体挡板,优秀的沉积均匀性 自研可视化操作系统,易学易操作 易保养,低运维成本
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