技术参数：

晶圆尺寸：4-8英寸

适用材料：光刻胶, PI

适用衬底：-硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、铌酸锂、

适用工艺：高温去胶， 低温去胶，表面处理、去碳膜、

适用领域：硅基半导体、科研、化合物半导体、功率半导体

设备特点：

设备主要配件全部选用国际主流知名品牌

远程电感耦合等离子体，高密度、低损伤

多样化气体挡板，优秀的去胶均匀性

自研可视化操作系统，易学易操作

易保养，低运维成本